Samsung ha annunciato oggi di aver iniziato la produzione su larga scala dei chip di memoria V-NAND di quinta generazione, i chip con velocità di trasferimento dati ad oggi più alta. In quello che è il primo caso di utilizzo dell’interfaccia “Toggle DDR 4.0”, la velocità di trasferimento dei dati sul nuovo chip da 256 Gb ha raggiunto 1,4 Gbps (0,175 Gb/s), con un aumento del 40% rispetto al suo predecessore a 64 strati.
Il nuovo V-NAND ha la velocità di scrittura dati, a 500 microsecondi, fino ad oggi più veloce, con un miglioramento del 30% circa rispetto alla generazione precedente, mentre il tempo di risposta ai segnali di lettura è stato significativamente ridotto a 50 microsecondi.
Inoltre l’efficienza energetica del nuovo V-NAND di Samsung è rimasta pressochè invariata rispetto a quella della generazione precedente e il merito di tale traguardo è principalmente della tensione elettrica, ridotta da 1,8 volt a 1,2 volt.
Confezionati all’interno del V-NAND di quinta generazione vi sono più di 90 strati di celle 3D CTF (Charge Trap Flash), la più grande quantità nel settore, impilati in una struttura piramidale. Nel complesso sarebbero oltre 85 miliardi le celle CTF, ciascuna in grado di memorizzare tre bit di dati.
La nuova tecnologia consente anche di ridurre l’altezza di ogni strato di cella del 20% evitando così il crosstalk tra le celle e aumentando l’efficienza dell’elaborazione dati del chip.
“I prodotti e le soluzioni della quinta generazione V-NAND di Samsung offriranno la tecnologia NAND più avanzata in un mercato in rapida crescita” ha dichiarato Kye Hyun Kyung, vicepresidente esecutivo della divisione Flash Product and Technology dell’azienda coreana, accennando poi ad un imminente introduzione sul mercato di chip di memoria V-NAND di tipo QLC (a quadruple celle) da 1 Tb.
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