Samsung ha annunciato lo sviluppo della prima memoria DRAM LPDDR5 da 8 GBit con processo produttivo a 10 nanometri, ideata per garantire prestazioni elevate agli smartphone e notebook di ultima generazione.
Samsung amplia ulteriormente la gamma, dopo la messa in produzione a Dicembre delle GDDR6 16Gb e lo sviluppo a Febbraio della DDR5 16Gb.
A quattro anni dalla LPDDR4 8Gb Samsung decide di “accelerare il passo verso un uso più intenso delle memorie premium ad alte prestazioni”, dice Jinman Han, VP del Memory Product Planning.
Samsung rilascerà le LPDDR5 in due versioni: banda 5500 Mb\s a 1.05 volt di tensione e 6400 Mb\s a 1.1 volt.
Il modulo a 6400 Mb\s sarà quindi più veloce del 50% rispetto alle DRAM montate sugli attuali top di gamma, garantendo una velocità di trasferimento di 51.2 Gb\s.
Le migliorie costruttive, oltre a potenziare le performance, puntano a garantire una maggiore efficienza energetica; LPDDR5 è infatti in grado di regolare la tensione rispetto alla velocità dell’Application Processor, utilizzando circa la metà dell’energia in modalità “attesa” rispetto alla LPDDR4X.
Questo si traduce in una riduzione dei consumi del 30% per i device che la monteranno, con conseguente aumento delle prestazioni e della durata della batteria.
Samsung comunica che i test funzionali e la validazione della nuova architettura sono completati, come si legge nella nota ufficiale.
La nuova linea produttiva di Pyeongtaek, Korea, è il sito prescelto per la produzione in scala di tutta la rinnovata lineup, comprese LPDDR5,DDR5 e GDDR6.
Sempre secondo quanto annunciato, queste memorie saranno in grado di supportare applicazioni AI e machine learning, oltre che garantire la compatibilità Ultra HD.
Samsung si riconferma quindi innovatore leader nell’ambito delle tecnologie hardware per i dispositivi del prossimo futuro.
